Kingston KVR16LS11/8WP DDR3L 8GB 1600MHz SODIMM

Kingston KVR16LS11/8WP DDR3L 8GB 1600MHz SODIMM

DESCRIPCIÓN Este documento describe ValueRAM de 1G x 64 bits (8GB) DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 2Rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis FBGA de 512M x 8 bits componentes El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1600 temporización de 11-11-11 a 1,35 V o 1,5 V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. El eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes:

• CL(IDD) 11 ciclos
• Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48.125ns (min.)
• Actualizar a Activo/Actualizar 260ns (min.)
• Tiempo de comando (tRFCmin)
• Tiempo activo de fila (tRASmin) 35 ns (min.)
• Clasificación UL 94 V – 0 Temperatura de funcionamiento 0o C a 85o C
• Temperatura de almacenamiento -55o C a +100o C

Aspectos Fundamentales:

• Formato: SODIMM
• Módulos De Memoria: 1 X 8 GB
• Tecnología De La Memoria: DDR3L
• Modelo: KVR16LS11/8WP
• Velocidad: 1600 MHz
• Capacidad Total: 8 GB
• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,35 V y 1,5 V
• VDDQ = 1,35 V y 1,5 V
• fCK de 800 MHz para 1600 Mb/seg/pin
• 8 banco interno independiente
• Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
• Latencia aditiva programable: 0, CL – 2 o CL – 1 reloj
• Búsqueda previa de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o SRA]
• Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales
• Calibración interna (auto) : Auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• Terminación en matriz usando pin ODT
• Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85°C, 3.9us a 85°C < TCASE < 95°C
• Restablecimiento asíncrono • PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara

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